Într-un studiu publicat în prestigioasa revistă Nature, cercetătorii de la Institutul Samsung de Tehnologie Avansată (SAIT) descriu un “tranzistor feroelectric pentru memorie flash NAND, eficient din punct de vedere energetic”.
Teoretic, este vorba de un tip de memorie flash NAND (NOT-AND), nevolatilă, care reține datele chiar și atunci când alimentarea este întreruptă, așa cum este cea a mediilor de stocare SSD, USB sau a cardurilor de memorie. Echipa de 34 de cercetători sud-coreeni a folosit însă un tip de tranzistori care reduc consumul de energie cu 96%.
În structura NAND, datele sunt stocate în celule conectate în serie. Pe măsură ce numărul de celule crește, crește și consumul de energie, în special din cauza pierderilor de energie. În plus, creșterea înălțimii straturilor duce la un consum suplimentar, în timpul operațiunilor de citire și scriere. Noua tehnologie permite blocarea curenților sub tensiunea prag, ceea ce reduce pierderile și, susțin cei de la Samsung, crește eficiența energetică cu 96%.
Articolul menționează că tehnologia ar putea fi un pas important pentru industrie, dar nu este clar cât de repede ar putea fi aceasta folosită. Pe site-ul companiei, un comunicat ce menționează descoperirea susține că “odată devenită viabilă din punct de vedere comercial”, această tehnologie va îmbunătăți semnificativ eficiența energetică într-o gamă largă de aplicații, de la reducerea costurilor de operare ale centrelor de date pentru AI și până la prelungirea duratei de viață a bateriei dispozitivelor mobile.
Foto: 327525532 | Ai Data Center © Supsup | Dreamstime.com
Echipa Biziday nu a solicitat și nu a acceptat nicio formă de finanțare din fonduri guvernamentale. Spațiile de publicitate sunt limitate, iar reclama neinvazivă.
Dacă îți place ce facem, poți contribui tu pentru susținerea echipei Biziday.